Analizador de semiconductores Velleman DCA55

Descripción

*** CARACTERÍSTICAS: identificación automática de componentes identificación automática de pines de conexión identificación de características especiales como detección de diodos de protección y detección de resistencias en derivación transistores bipolares: medición de ganancia de corriente y corriente de fuga, detección de diodos de silicio y germanio medición de voltaje umbral para MOSFET de enriquecimiento medición de voltaje directo para diodos, LED y uniones de base Transmisor de transistores extinción automática y manual *** ESPECIFICACIONES: Resumen de especificaciones a 20°C (68°F) a menos que se indique lo contrario corte de corriente pico de cortocircuito especificado: -5,5 mA hasta 5,5 mA Voltaje pico de cortocircuito permanente: -5,1 V hasta 5,1 V transistor: rango de ganancia (HFE): 4 - 65 000 Precisión de ganancia: ± 3% ± 5 Hfe voltaje máximo de colector a emisor (VCEO): 2,0 V - 3,0 V Precisión del voltaje base-emisor VBE: -2% -20 mV hasta +2% + Tensión base-emisor VBE de 20 mV para transistor Darlington (en derivación): 0,95 V - 1,80 V (0,0. 75 V - 1,80 V) umbral de resistencia de derivación del emisor base: 50 kΩ - 70 kΩ corriente del colector BJT: 2,45 mA - 2,55 mA corriente de fuga aceptable BJT: 0,7 mA MOSFET: rango de voltaje puerta-fuente: 0,1 V - 5,0 V precisión de solo él: -2% -20 mV hasta +2% + 20 mV corriente de drenaje: 2,45 mA - 255 mA Resistencia de puerta: 8 kΩ Corriente de drenaje de agotamiento: 4,5 mA Corrientes de fuente de drenaje JFET: 0,5 mA - 5,5 mA Tiristor/Triac: Corriente de puerta: 4,5 mA Retención: 5,0 mA Diodo: Corriente de prueba: 5,0 mA Precisión de voltaje: -2% -20 mV hasta +2% + 20 mV de voltaje directo para Identificación LED: 1,50 V - 4,00 V Umbral de cortocircuito: Batería de 10 Ω: tipo: MN21 / L1028 / GP23A Rango alcalino de 12 V. Voltaje: 7. 50 V - 12 V Umbral de alarma: 8,25 V. Dimensiones: 103 x 70 x 20 mm (4,1 x 2,8 x 0,8 pulgadas). Peso por producto (neto): 0,098 kg (3,5 oz). Temperatura de trabajo: 0 °C ~ 50 °C (32F ~ 122F)

Características

• Identificación automática de componentes Identificación automática de pines de conexión Identificación de particularidades como detección de diodos de protección y detección de resistencias en derivación Transistores bipolares: medición de ganancia de corriente y corriente de fuga, detección de diodos de silicio y germanio Medición de tensión umbral para mejora MOSFET Medición de tensión directa para diodos, LED y uniones base-emisor de transistores exti
• Resumen de especificaciones a 68 °F (20 °C) a menos que se especifique lo contrario
• Corte de corriente máxima de cortocircuito: -5,5 mA hasta 5,5 mA
• Tensión pico de cortocircuito permanente: -5,1 V hasta 5,1 V
• Transistor

Especificaciones