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Hynix HMT351S6CFR8C-H9 RAM 4 GB 2Rx8 PC3-10600S DDR3 RAM Fabricado en China Factor de forma: SO-DIMM de 204 pines Módulo de memoria: PC3-10600 Velocidad de memoria: 1333 MHz Latencia CAS: 9 ciclos Fuente de alimentación de 1,5 V ± 0,075 V
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