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Specification: Transistor type: NPN Mounting type: Through Hole Max current collector ic: 600 mA Max current collector cutoff: 10 nA Max voltage collector emitter breakdown: 40 V Max power: 625 mW Frequency transition: 300 MHz Max vce saturation ib, ic: 1V 50 mA, 500 mA Min DC current gain, hFE, Ic, vce: 100-150 mA, 10 V
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