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Descripción del producto:Presentamos nuestro transistor encapsulado en plástico TO-92 de alto rendimiento, el 2N4401 (NPN). Este transistor está diseñado para una amplia gama de aplicaciones, desde uso general hasta operaciones de alta frecuencia. Características principales: Voltaje de ruptura de la base del colector (V(BR)CBO): 60 V Voltaje de ruptura del emisor-colector (V (BR) CEO): 40 VE Voltaje de ruptura de la base del emisor (V (BR) EBO): 6 VE Características eléctricas: Ganancia de corriente CC (hFE): Rangos de 20 a 300 dependiendo del colector Corriente Voltaje de saturación colector-emisor (VCE(sat)): 0,4 V a 0,75 V dependiendo de la corriente del colector Voltaje de saturación base-emisor (VBE(sat)): 0,95 V a 1,2 V Frecuencia de transición (fT): 250 MHz Capacitancia de salida (Cob): 6,5 pF a 100 kHz Parámetros operativos: Corriente del colector (IC): Continua - 600 mA Disipación de energía del colector (PC): 0,625 W Temperatura de unión (TJ): 150 °C Dimensiones físicas: Empaquetado en un contorno TO-92 estándar, adecuado para una variedad de diseños de PCB. Condiciones de almacenamiento: Temperatura de almacenamiento: -55 °C a +150 °C Este transistor 2N4401 es la elección perfecta para sus proyectos electrónicos que requieren confiabilidad y rendimiento. Ideal para aficionados, ingenieros y fabricantes por igual. Para especificaciones más detalladas y consultas técnicas, consulte la hoja de datos proporcionada.
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